کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355232 | 1503598 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra-multiple and reproducible resistance levels based on intrinsic crystallization properties of Ge1Sb4Te7 film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- The resistivity of Ge1Sb4Te7 gradually dropped by about 3-4 orders of magnitude due to crystallization with the annealing temperature, which is critical to realize multiple resistance levels.
- The ultra-multiple 27 resistance levels in TiSi3/GST147 lateral phase-change memory device were demonstrated, much more than reported until now.
- The reproducibility of the six resistance levels without programming algorism such as write-certification were demonstrated and these levels were distinguishable from each other.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 369, 30 April 2016, Pages 348-353
Journal: Applied Surface Science - Volume 369, 30 April 2016, Pages 348-353
نویسندگان
You Yin, Shota Iwashita, Sumio Hosaka, Tao Wang, Jingze Li, Yang Liu, Qi Yu,