کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355273 | 1503694 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The distribution of elements in sequentially prepared MgB2 on SiC buffered Si substrate and possible pinning mechanisms
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Superconducting MgB2 thin films were prepared on SiC substrates by sequential method. ⺠XPS spectra indicate that SiC is not incorporated into MgB2 film but the distribution of carbon and silicon in the film is observed. ⺠XPS spectra indicate a reaction between MgB2 and MgO at higher temperature (830 °C). ⺠XPS spectrum suggests the possibility of the substitution carbon for boron in MgB2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 29-32
Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 29-32
نویسندگان
Å . Chromik, A. Nishida, V. Å trbÃk, M. Gregor, J.P. Espinós, J. Liday, R. Durný,