کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355273 | 1503694 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The distribution of elements in sequentially prepared MgB2 on SiC buffered Si substrate and possible pinning mechanisms
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The distribution of elements in sequentially prepared MgB2 on SiC buffered Si substrate and possible pinning mechanisms The distribution of elements in sequentially prepared MgB2 on SiC buffered Si substrate and possible pinning mechanisms](/preview/png/5355273.png)
چکیده انگلیسی
⺠Superconducting MgB2 thin films were prepared on SiC substrates by sequential method. ⺠XPS spectra indicate that SiC is not incorporated into MgB2 film but the distribution of carbon and silicon in the film is observed. ⺠XPS spectra indicate a reaction between MgB2 and MgO at higher temperature (830 °C). ⺠XPS spectrum suggests the possibility of the substitution carbon for boron in MgB2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 29-32
Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 29-32
نویسندگان
Å . Chromik, A. Nishida, V. Å trbÃk, M. Gregor, J.P. Espinós, J. Liday, R. Durný,