کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5355299 1503694 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantitative analysis of cathodoluminescence phenomena in InGaN/GaN QW by Monte Carlo method
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Quantitative analysis of cathodoluminescence phenomena in InGaN/GaN QW by Monte Carlo method
چکیده انگلیسی
► CL spectra from InGaN/GaN SQW on nanopyramid were analysed by Monte Carlo method. ► Influence of electron beam parameters to the evolution of CL spectra was assessed. ► The InGaN/GaN recombination ratio rapidly decreases with increasing beam energy Epe. ► The recombination in InGaN depends on diffusion length L in GaN and incidence angle. ► The recombination in InGaN reaches maximum at Epe in dependence on L.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 269, 15 March 2013, Pages 155-160
نویسندگان
, , , , , ,