کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355451 | 1388190 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of CuO nanowires by thermal annealing copper film deposited on Ti/Si substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Copper films are deposited by electron beam evaporation. ⺠Nanowires are synthesized by thermal annealing of copper film. ⺠The growth of nanowires depends on thermal time, thermal temperature, and film thickness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 1, 15 October 2011, Pages 201-206
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 1, 15 October 2011, Pages 201-206
نویسندگان
Yao Wang, Ruiqi Shen, Xiaoyun Jin, Peng Zhu, Yinghua Ye, Yan Hu,