کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355631 | 1503703 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Submicron Raman and photoluminescence topography of InAs/Al(Ga)As quantum dots structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Exciton recombination in an ensemble of indirect/direct band-gap (In,Al)As/AlAs QDs with type-I band alignment is studied. ⺠Resonant Raman scattering was applied for evaluation of composition at various depths InAlAs/AlAs QDs sandwich structures. ⺠Depth distribution of composition in In(Ga,Al)As alloy layers explained by strain-driven enhanced interdiffusion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 260, 1 November 2012, Pages 47-50
Journal: Applied Surface Science - Volume 260, 1 November 2012, Pages 47-50
نویسندگان
O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, T.S. Shamirzaev, A.S. Romanyuk, P. Tronc,