کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5355678 1388195 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The testing of stress-sensitivity in heteroepitaxy GaN/Si by Raman spectroscopy
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The testing of stress-sensitivity in heteroepitaxy GaN/Si by Raman spectroscopy
چکیده انگلیسی
► We fabricate the crack-free H-GaN epifilms which have been grown on Si (1 1 1) substrates by metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD). ► We test the stress-sensitivity of H-GaN up to 93.5 MPa/μm which higher than C-Si which testing is 467.9 MPa/μm. ► Calculate the nonlinear error of stress-sensitivity where GaN films is 0.1639 and Si is 0.0698. ► Research the reason why the E2 (high) Raman peak of H-GaN has a blue shift under increasing displacement-loadings in the C-plane from the configurations of phonon modes in GaN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 21, 15 August 2011, Pages 8846-8849
نویسندگان
, , , , , , ,