کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355678 | 1388195 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The testing of stress-sensitivity in heteroepitaxy GaN/Si by Raman spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We fabricate the crack-free H-GaN epifilms which have been grown on Si (1 1 1) substrates by metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD). ⺠We test the stress-sensitivity of H-GaN up to 93.5 MPa/μm which higher than C-Si which testing is 467.9 MPa/μm. ⺠Calculate the nonlinear error of stress-sensitivity where GaN films is 0.1639 and Si is 0.0698. ⺠Research the reason why the E2 (high) Raman peak of H-GaN has a blue shift under increasing displacement-loadings in the C-plane from the configurations of phonon modes in GaN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 21, 15 August 2011, Pages 8846-8849
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 21, 15 August 2011, Pages 8846-8849
نویسندگان
Jianjun Tang, Ting Liang, Weili Shi, Qianqian Zhang, Yong Wang, Jun Liu, Jijun Xiong,