کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355849 | 1503604 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nitridation of silicon by nitrogen neutral beam
ترجمه فارسی عنوان
نیترید سیلیکون با پرتو خنثی نیتروژن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
- Nitrided silicon was formed by nitrogen neutral beam at room temperature.
- Si3N4 layer was formed at the acceleration voltage more than 20Â V.
- Formed Si3N4 layer show the effective as the passivation film in the wet etching process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 363, 15 February 2016, Pages 555-559
Journal: Applied Surface Science - Volume 363, 15 February 2016, Pages 555-559
نویسندگان
Yasuhiro Hara, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara,