کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5355881 1388198 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of plasma immersion ion implantation into silicon substrate using magnetic mirror geometry
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Study of plasma immersion ion implantation into silicon substrate using magnetic mirror geometry
چکیده انگلیسی
► Plasma density increases in magnetic bottle configuration due to magnetized electrons drifting in crossed E × B fields, promoting electronneutral collision and as a result, the ion current density increases. ► Plasma immersion ion implantation in crossed E × B fields provides significant changes in surface properties of the samples. ► The plasma immersion ion implantation process with magnetic field has increased the dose and the depth of implantation by a factor of 1.5 in the case of sample implanted at high energy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 9564-9569
نویسندگان
, , , ,