کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355881 | 1388198 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of plasma immersion ion implantation into silicon substrate using magnetic mirror geometry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Plasma density increases in magnetic bottle configuration due to magnetized electrons drifting in crossed E Ã B fields, promoting electronneutral collision and as a result, the ion current density increases. ⺠Plasma immersion ion implantation in crossed E Ã B fields provides significant changes in surface properties of the samples. ⺠The plasma immersion ion implantation process with magnetic field has increased the dose and the depth of implantation by a factor of 1.5 in the case of sample implanted at high energy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 9564-9569
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 9564-9569
نویسندگان
E.J.D.M. Pillaca, M. Ueda, K.G. Kostov, H. Reuther,