کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5355911 1388198 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Triangle islands and cavities on the surface of evaporated Cu(In, Ga)Se2 absorber layer
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Triangle islands and cavities on the surface of evaporated Cu(In, Ga)Se2 absorber layer
چکیده انگلیسی
► Lots of uncommon triangle islands and cavities are found on (1 1 2) planes terminated by Se atoms of evaporated Cu(In, Ga)Se2 thin films. ► Se ad-dimer as a nucleus, Cu atom diffusion from Cu(In, Ga)Se2 grains brings the epitaxial triangle island. ► The triangle islands grow with a two-dimensional layered mode. ► The triangle cavities are formed due to the insufficient coalescence of triangle islands. ► The performance of solar cell without triangle islands is improved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 9747-9750
نویسندگان
, , , , ,