| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 5355911 | 1388198 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Triangle islands and cavities on the surface of evaporated Cu(In, Ga)Se2 absorber layer
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی تئوریک و عملی
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠Lots of uncommon triangle islands and cavities are found on (1 1 2) planes terminated by Se atoms of evaporated Cu(In, Ga)Se2 thin films. ⺠Se ad-dimer as a nucleus, Cu atom diffusion from Cu(In, Ga)Se2 grains brings the epitaxial triangle island. ⺠The triangle islands grow with a two-dimensional layered mode. ⺠The triangle cavities are formed due to the insufficient coalescence of triangle islands. ⺠The performance of solar cell without triangle islands is improved.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 9747-9750
											Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 9747-9750
نویسندگان
												Anjun Han, Yi Zhang, Wei Liu, Boyan Li, Yun Sun,