کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355912 | 1388198 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Direct observation of phase transition of GeSbTe thin films by Atomic Force Microscope
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Direct observation of phase transition of GeSbTe thin films by Atomic Force Microscope Direct observation of phase transition of GeSbTe thin films by Atomic Force Microscope](/preview/png/5355912.png)
چکیده انگلیسی
⺠Microstructure of GeSbTe thin films was characterized by XRD and AFM. ⺠Annealing and applying electrical field can induce crystallization on thin film. ⺠Conductive-AFM was used to modify the surface of GeSbTe thin film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 9751-9755
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 9751-9755
نویسندگان
Fei Yang, Ling Xu, Rui Zhang, Lei Geng, Liang Tong, Jun Xu, Weining Su, Yao Yu, Zhongyuan Ma, Kunji Chen,