کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5356579 | 1503611 | 2015 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band alignment at the Cu2SnS3/In2S3 interface measured by X-ray photoemission spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper focused on investigating the band alignment at the Cu2SnS3 (CTS)/In2S3 heterojunction interface by X-ray photoemission spectroscopy. An In2S3 over-layer was grown on a CTS thin film, which was grown by sulfurization of vacuum thermal evaporated Sn-Cu metallic precursors in a H2S:N2 atmosphere. The valence band offset (VBO) at the CTS/In2S3 interface was measured to be 1.27 ± 0.10 eV. The conduction band offset (CBO) was calculated from the measured VBO, giving (0.58 ± 0.10) eV. These values show that the CBO has a spike-like behavior and the interface is a 'type I'.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 353, 30 October 2015, Pages 414-418
Journal: Applied Surface Science - Volume 353, 30 October 2015, Pages 414-418
نویسندگان
Hongjie Jia, Shuying Cheng, Hong Zhang, Jinling Yu, Yunfeng Lai,