کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5356723 | 1388208 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructure, optical and electrical properties of Al-doped ZnO films grown by MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Al-doped ZnO films were grown on quartz substrates by MOCVD. ⺠The preferred orientation of ZnO films decreased with the increase of Al content. ⺠Decomposition products of TMA bringing down the surface activity of ZnO grains. ⺠UV emission peak initially red-shifted and then blue-shifted as increasing Al content. ⺠Low electrical resistivity of Al-doped ZnO films was obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 22, 1 September 2012, Pages 8595-8598
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 22, 1 September 2012, Pages 8595-8598
نویسندگان
Jianfeng Su, Chunjuan Tang, Qiang Niu, Chunhe Zang, Yongsheng Zhang, Zhuxi Fu,