کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5356731 | 1388208 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ga-grading profiles formed by incorporation of gallium into Cu(In1âxGax)Se2 absorber thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ga-grading profiles formed by incorporation of gallium into Cu(In1âxGax)Se2 absorber thin films Ga-grading profiles formed by incorporation of gallium into Cu(In1âxGax)Se2 absorber thin films](/preview/png/5356731.png)
چکیده انگلیسی
⺠CIGS thin films with Ga-grading profile were prepared by evaporation of GaxSe for incorporation of gallium. ⺠The process was found to have little effect on the film structure. ⺠No new impurity phases were detected. ⺠The proposed process was feasible for forming a 'notch' Ga-graded structure in CIGS thin films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 22, 1 September 2012, Pages 8636-8640
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 22, 1 September 2012, Pages 8636-8640
نویسندگان
J. Wang, Y.F. Zhang, F. Dong, J. Zhu,