کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5356784 | 1388208 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reliability assessment of ultra-thin HfO2 films deposited on silicon wafer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Reliability assessment of ultra-thin HfO2 films deposited on silicon wafer Reliability assessment of ultra-thin HfO2 films deposited on silicon wafer](/preview/png/5356784.png)
چکیده انگلیسی
⺠Nano-mechanical properties on annealed ultra-thin HfO2 film are studied. ⺠By AFM analysis, hardness of the crystallized HfO2 film significantly increases. ⺠By nano-indention, the film hardness increases with less contact stiffness. ⺠Quality assessment on the annealed ultra-thin films can thus be achieved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 22, 1 September 2012, Pages 8974-8979
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 22, 1 September 2012, Pages 8974-8979
نویسندگان
Wei-En Fu, Chia-Wei Chang, Yong-Qing Chang, Chih-Kai Yao, Jiunn-Der Liao,