کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5356867 | 1388209 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CuInS2 thin films obtained through the annealing of chemically deposited In2S3-CuS thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we report the formation of CuInS2 thin films on glass substrates by heating chemically deposited multilayers of copper sulfide (CuS) and indium sulfide (In2S3) at 300 and 350 °C in nitrogen atmosphere at 10 Torr. CIS thin films were prepared by varying the CuS layer thickness in the multilayers with indium sulfide. The XRD analysis showed that the crystallographic structure of the CuInS2 (JCPDS 27-0159) is present on the deposited films. From the optical analysis it was estimated the band gap value for the CIS film (1.49 eV). The electrical conductivity varies from 3 Ã 10â8 to 3 Ωâ1 cmâ1 depending on the thickness of the CuS film. CIS films showed p-type conductivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 6, 1 January 2011, Pages 2193-2196
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 6, 1 January 2011, Pages 2193-2196
نویسندگان
Y. Peña, S. Lugo, M. Calixto-Rodriguez, A. Vázquez, I. Gómez, P. Elizondo,