کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5356976 1503605 2016 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear switching in Al/Li:NiO/ITO forming-free resistive memories caused by interfacial layer
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Nonlinear switching in Al/Li:NiO/ITO forming-free resistive memories caused by interfacial layer
چکیده انگلیسی
Forming free Al/Li:NiO/ITO devices show a reduced power, better variability than the devices after forming.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 362, 30 January 2016, Pages 506-511
نویسندگان
, , , ,