کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357110 | 1388213 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical study of Cs adsorption on GaN(0Â 0Â 0Â 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Theoretical study of Cs adsorption on GaN(0Â 0Â 0Â 1) surface Theoretical study of Cs adsorption on GaN(0Â 0Â 0Â 1) surface](/preview/png/5357110.png)
چکیده انگلیسی
⺠Using density functional theory with a plane-wave ultrasoft pseudopotential method based on first-principles calculations, we have found that the most stable positions of Cs adatoms on (2 Ã 2)GaN(0 0 0 1) surface are at N-bridge and H3 sites for 1/4 monolayer coverage. ⺠The change of adsorption energies and the change of work function with coverage from 1/4 to 1 monolayer are analyzed, and the reason for those changes is also analyzed. ⺠These results provide a theoretical reference for the activation experiment of negative electron affinity GaN optoelectronic cathodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 19, 15 July 2012, Pages 7425-7429
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 19, 15 July 2012, Pages 7425-7429
نویسندگان
Du Yujie, Chang Benkang, Wang Xiaohui, Zhang Junju, Li Biao, Wang Meishan,