کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357160 | 1388213 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of graphene-like thin films at low temperature by dual-frequency capacitively coupled plasma
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We developed a new method of growing graphene-like thin films on glass substrates. ⺠Dual-frequency capacitively coupled plasma (DF-CCP) enhanced chemical vapor deposition (CVD) was used as the film growing method. ⺠Graphene-like films were grown at low temperature without using any metallic catalyst. ⺠The defects of films could be decreased and the crystal structure could be improved effectively by annealing treatment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 19, 15 July 2012, Pages 7751-7754
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 19, 15 July 2012, Pages 7751-7754
نویسندگان
Yijun Xu, Xuemei Wu, Chao Ye,