کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357243 | 1503607 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controllable giant magnetoresistance effect by the δ-doping in a magnetically confined semiconductor heterostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Controllable giant magnetoresistance effect by the δ-doping in a magnetically confined semiconductor heterostructure Controllable giant magnetoresistance effect by the δ-doping in a magnetically confined semiconductor heterostructure](/preview/png/5357243.png)
چکیده انگلیسی
We propose theoretically an alternative method to effectively manipulate a GMR device by the δ-doping, which is based on a magnetically confined semiconductor heterostructure. It is found that the magnetoresistance ratio is tunable by changing weight and/or position of the δ-doping. Thus, a structurally controllable GMR device can be obtained for magnetoelectronics applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 360, Part B, 1 January 2016, Pages 989-993
Journal: Applied Surface Science - Volume 360, Part B, 1 January 2016, Pages 989-993
نویسندگان
Mao-Wang Lu, Xue-Li Cao, Xin-Hong Huang, Ya-Qing Jiang, Shi-Peng Yang,