کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357381 | 1503664 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phosphorus diffusion in germanium following implantation and excimer laser annealing
ترجمه فارسی عنوان
انتشار فسفر در ژرمانیوم پس از لانه گزینی و برش لیزر اگزایمر
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
We focus our study on phosphorus diffusion in ion-implanted germanium after excimer laser annealing (ELA). An analytical model of laser annealing process is developed to predict the temperature profile and the melted depth in Ge. Based on the heat calculation of ELA, a phosphorus diffusion model has been proposed to predict the dopant profiles in Ge after ELA and fit SIMS profiles perfectly. A comparison between the current-voltage characteristics of Ge n+/p junctions formed by ELA at 250 mJ/cm2 and rapid thermal annealing at 650 °C for 15 s has been made, suggesting that ELA is promising for high performance Ge n+/p junctions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 300, 1 May 2014, Pages 208-212
Journal: Applied Surface Science - Volume 300, 1 May 2014, Pages 208-212
نویسندگان
Chen Wang, Cheng Li, Shihao Huang, Weifang Lu, Guangming Yan, Maotian Zhang, Huanda Wu, Guangyang Lin, Jiangbin Wei, Wei Huang, Hongkai Lai, Songyan Chen,