کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357390 | 1388218 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal etching of SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Defects in SiC such as twins and stacking faults were observed using an in-lens SEM. Usually TEM is necessary to observe these defects. ⺠Thermal etching of SiC starts at lower temperatures than previously reported. ⺠Decomposition of SiC starts at lower temperatures than previously reported. ⺠Thermal etching is suggested as an alternative polishing method for SiC. ⺠3D nano-structures develop on SiC due to decomposition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 15, 15 May 2012, Pages 5561-5566
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 15, 15 May 2012, Pages 5561-5566
نویسندگان
N.G. van der Berg, Johan B. Malherbe, A.J. Botha, E. Friedland,