کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5357390 1388218 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal etching of SiC
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Thermal etching of SiC
چکیده انگلیسی
► Defects in SiC such as twins and stacking faults were observed using an in-lens SEM. Usually TEM is necessary to observe these defects. ► Thermal etching of SiC starts at lower temperatures than previously reported. ► Decomposition of SiC starts at lower temperatures than previously reported. ► Thermal etching is suggested as an alternative polishing method for SiC. ► 3D nano-structures develop on SiC due to decomposition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 15, 15 May 2012, Pages 5561-5566
نویسندگان
, , , ,