کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357393 | 1388218 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modulation of anisotropic crystalline in a-plane GaN on HT-AlN buffer layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modulation of anisotropic crystalline in a-plane GaN on HT-AlN buffer layer Modulation of anisotropic crystalline in a-plane GaN on HT-AlN buffer layer](/preview/png/5357393.png)
چکیده انگلیسی
⺠a-Plane GaN was investigated in its strains and crystalline quality. ⺠Crystalline anisotropy can be improved using HT-AlN buffer. ⺠Strain transforms along [0 0 0 2] from compression to tensile using HT-AlN buffer. ⺠The contraction of lattice along [101¯0] induces the transformation of compression into tensile along [0 0 0 2].
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 15, 15 May 2012, Pages 5579-5582
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 15, 15 May 2012, Pages 5579-5582
نویسندگان
H. Long, T.J. Yu, H. Fang, Z.J. Yang, G.Y. Zhang,