کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357424 | 1388218 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of carbon nanotubes on Si/SiO2 wafer etched by hydrofluoric acid under different etching durations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Etching Si/SiO2 wafer with 48-50% HF generates SiO2 nanoparticles. ⺠Metal-catalyst-free growth of CNTs on SiO2 nanoparticles is demonstrated. ⺠TEM shows the presence of SWCNTs on Si/SiO2 wafer etched at 1 min after CVD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 15, 15 May 2012, Pages 5774-5777
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 15, 15 May 2012, Pages 5774-5777
نویسندگان
Lling-Lling Tan, Siang-Piao Chai, Abdul Rahman Mohamed,