کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357499 | 1503608 | 2015 | 27 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The photoluminescence properties of undoped & Eu-doped ZnO thin films grown by RF sputtering on sapphire and silicon substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- The effect of substrate on the PL intensity of ZnO & Eu:ZnO thin films was investigated.
- For UV emission of ZnO thin film, silicon is a promising, cost-effective substrate.
- For red emission of Eu:ZnO thin film, sapphire substrate is more favorable.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 359, 30 December 2015, Pages 356-363
Journal: Applied Surface Science - Volume 359, 30 December 2015, Pages 356-363
نویسندگان
Samah M. Ahmed, Paul Szymanski, Mostafa A. El-Sayed, Yehia Badr, Lotfia M. El-Nadi,