کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5357499 1503608 2015 27 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The photoluminescence properties of undoped & Eu-doped ZnO thin films grown by RF sputtering on sapphire and silicon substrates
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The photoluminescence properties of undoped & Eu-doped ZnO thin films grown by RF sputtering on sapphire and silicon substrates
چکیده انگلیسی

- The effect of substrate on the PL intensity of ZnO & Eu:ZnO thin films was investigated.
- For UV emission of ZnO thin film, silicon is a promising, cost-effective substrate.
- For red emission of Eu:ZnO thin film, sapphire substrate is more favorable.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 359, 30 December 2015, Pages 356-363
نویسندگان
, , , , ,