کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5357523 | 1503608 | 2015 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of defects in ultra-thin Al2O3 films deposited on pure copper by the atomic layer deposition technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of defects in ultra-thin Al2O3 films deposited on pure copper by the atomic layer deposition technique Investigation of defects in ultra-thin Al2O3 films deposited on pure copper by the atomic layer deposition technique](/preview/png/5357523.png)
چکیده انگلیسی
Some residual OH ligands originating from incomplete reaction between TMA and surface species of OH* during ALD process induce the defects in deposited Al2O3 films. Three possible types of defects are suggested. The analytic results indicate the defects are Type-I and/or Type-II but do not directly expose the substrate, like pinholes (Type-III).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 359, 30 December 2015, Pages 533-542
Journal: Applied Surface Science - Volume 359, 30 December 2015, Pages 533-542
نویسندگان
M.L. Chang, L.C. Wang, H.C. Lin, M.J. Chen, K.M. Lin,