کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5358155 | 1503648 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of H2/CH4 mixed gas plasma post-etching process for ZnO:B front contacts grown by LP-MOCVD method in silicon-based thin-film solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of H2/CH4 mixed gas plasma post-etching process for ZnO:B front contacts grown by LP-MOCVD method in silicon-based thin-film solar cells Investigation of H2/CH4 mixed gas plasma post-etching process for ZnO:B front contacts grown by LP-MOCVD method in silicon-based thin-film solar cells](/preview/png/5358155.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 316, 15 October 2014, Pages 508-514
Journal: Applied Surface Science - Volume 316, 15 October 2014, Pages 508-514
نویسندگان
Li Wang, Xiaodan Zhang, Ying Zhao, Takuto Yamada, Yusuke Naito,