کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5358276 1503617 2015 14 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stochastic quantum confinement in nanocrystalline silicon layers: The role of quantum dots, quantum wires and localized states
ترجمه فارسی عنوان
محدوده کوانتومی تصادفی در لایه های سیلیکونی نانوکریستال: نقش نقاط کوانتومی، سیم کوانتومی و حالت های موضعی
کلمات کلیدی
محکومیت کوانتومی، سیلیکون متخلخل، نقاط کوانتومی، سیم کوانتومی، ایالات محلی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Nanocrystallites of Silicon have been produced by electrochemical etching of crystal wafers. The obtained samples show photoluminescence in the red band of the visible spectrum when illuminated by ultraviolet light. The photoluminescence spectra can be deconvolved into three components according to a stochastic quantum confinement model: one band coming from Nanocrystalline dots, or quantum dots, one from Nanocrystalline wires, or quantum wires, and one from the presence of localized surface states related to silicon oxide. The results fit well within other published models.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 347, 30 August 2015, Pages 471-474
نویسندگان
, , , , ,