کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5358657 | 1388235 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of homogenous loading on silicon direct bonding
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Applying a homogenous plane-stress using the Nano-Imprint System on the SDB process. ⺠Highly consistent interface energy of SDB pairs when applying a homogenous plane-stress. ⺠Improves bonding quality of point-stress bonded wafers by re-applying a plane-stress with Nano-Imprint System.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 17, 15 June 2011, Pages 7693-7698
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 17, 15 June 2011, Pages 7693-7698
نویسندگان
Li-Yang Huang, Kuan-Lin Ho, Chen-Ti Hu,