کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5358678 | 1388235 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of AlN grown by plasma enhanced atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Properties of AlN grown by plasma enhanced atomic layer deposition Properties of AlN grown by plasma enhanced atomic layer deposition](/preview/png/5358678.png)
چکیده انگلیسی
⺠We study the properties of the aluminum nitride films grown by plasma ALD. ⺠The effect of plasma pulse time and temperature on the film properties was studied. ⺠We found that the hydrogen level of AlN films is high. ⺠The growth temperature had a significant effect on the film properties. ⺠Hydrogen concentration correlated with the mass density and refractive index.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 17, 15 June 2011, Pages 7827-7830
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 17, 15 June 2011, Pages 7827-7830
نویسندگان
Markus Bosund, Timo Sajavaara, Mikko Laitinen, Teppo Huhtio, Matti Putkonen, Veli-Matti Airaksinen, Harri Lipsanen,