کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5358772 | 1388238 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Selected properties of a-C:H PACVD coatings
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
a-C:H films were deposited by rf PACVD from methane and their growth rate, thermal treatment, morphology, adhesion and electrical passivation properties were investigated. Deposition at room temperature gave the highest film growth rates. The Raman spectra obtained for a-C:H films indicated that the D peak becomes more pronounced as the annealing temperature grows higher. The rf plasma produced a-C:H passivation films which are sufficiently insulating at voltages up to ca. 2200Â V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 3, Supplement, 15 November 2009, Pages S22-S25
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 3, Supplement, 15 November 2009, Pages S22-S25
نویسندگان
F. Cerny, V. Jech, S. Konvickova, J. Suchanek,