کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5358913 | 1388240 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation and characterization of Cu(In,Ga)(Se,S)2 films without selenization by co-sputtering from Cu(In,Ga)Se2 quaternary and In2S3 targets
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
ⶠWe report a chalcopyrite CIGS films prepared by co-sputtering a quaternary alloy target and an In2S3 binary target with a one-stage annealing process without post-selenization. ⶠExperimental results showed that the stoichiometry ratios of the CIGSS film were Cu/(In+Ga) = 0.92, Ga/(In+Ga) = 0.26, and Se/(S) = 0.49 that approached device-quality stoichiometry ratio (Cu/(In+Ga) < 0.95, Ga/(In+Ga) < 0.3, and (Se/S) â 0.5). ⶠThe resistivity of the sample was 14.8 Ω cm, with a carrier concentration of 3.4 Ã 1017 cmâ3 and mobility of 1.2 cm2Vâ1 sâ1. ⶠThe resulting film exhibited p-type conductivity with a double graded band-gap structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 9, 15 February 2011, Pages 4278-4284
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 9, 15 February 2011, Pages 4278-4284
نویسندگان
Y.C. Lin, J.H. Ke, W.T. Yen, S.C. Liang, C.H. Wu, C.T. Chiang,