کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5359262 | 1388245 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Boron doped ZnO thin films fabricated by RF-magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Boron doped ZnO thin films fabricated by RF-magnetron sputtering Boron doped ZnO thin films fabricated by RF-magnetron sputtering](/preview/png/5359262.png)
چکیده انگلیسی
ⶠBoth as-deposited and annealed ZnO:B films exhibit much lower resistivity as well as slightly broader optical band gap compared with pure ZnO film. ⶠThese results are consistent with the first-principles calculations that in both ZnO:B films not only the band gap becomes narrower but also the Fermi level shifts up into the conduction band with respect to the pure ZnO film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 7, 15 January 2011, Pages 2498-2502
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 7, 15 January 2011, Pages 2498-2502
نویسندگان
Li Gao, Yan Zhang, Jian-Min Zhang, Ke-Wei Xu,