کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360231 | 1388258 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of the broken symmetry of defect state distribution at the a-Si:H/c-Si interface on the performance of hetero-junction solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Taking into account the fact that the distribution of defect states at the interface does not have strictly symmetrical shape, we present a simulation study of a-Si:H(n)/c-Si(p) and a-Si:H(p)/c-Si(n) structures with regard to the defect states at the interface, band offsets and doping concentration of the emitter. The presented results suggest for a-Si:H(n)/c-Si(p) solar cells a strong influence of the introduced broken symmetry between acceptor and donor defect states on the open-circuit voltage, whereas the a-Si:H(p)/c-Si(n) structure benefits from inherent favorable band alignment and remains unaffected.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 18, 1 July 2010, Pages 5662-5666
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 18, 1 July 2010, Pages 5662-5666
نویسندگان
Miroslav MikoláÅ¡ek, Juraj Racko, Ladislav Harmatha, Pavol GaÅ¡pierik, Pavol Å utta,