کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360282 | 1503688 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electrical properties of sputtering power and gas pressure on Ti-dope In2O3 transparent conductive films by RF magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The effects of RFS properties of the films were a 2.5 wt% TiO2-doped In2O3 target. ⺠The ITiO thin films produced strong (2 2 2) (2θ = 30.61°) peaks of a preferred orientation regardless. ⺠The deposition rate was 20-60 nm/min under the experimental conditions of gas pressure and RFS power. ⺠The lowest resistivity of 1.2 Ã 10â4 Ω cm and the average optical transmittance of 75%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 275, 15 June 2013, Pages 227-232
Journal: Applied Surface Science - Volume 275, 15 June 2013, Pages 227-232
نویسندگان
Accarat Chaoumead, Bong-Hyun Joo, Dong-Joo Kwak, Youl-Moon Sung,