کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360447 | 1503693 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of indium doping level on certain physical properties of CdS films deposited using an improved SILAR technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Introduction of new SILAR method, named as Improved SILAR (ISILAR) technique. ⺠Comparatively good stoichiometry is achieved. ⺠Results from different studies are corroborated well.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 270, 1 April 2013, Pages 439-444
Journal: Applied Surface Science - Volume 270, 1 April 2013, Pages 439-444
نویسندگان
K. Ravichandran, V. Senthamilselvi,