کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360800 | 1388265 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of ZnSe/CdSe/ZnSe quantum dots fabricated by using an alternate molecular beam supplying method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and characterization of ZnSe/CdSe/ZnSe quantum dots fabricated by using an alternate molecular beam supplying method Growth and characterization of ZnSe/CdSe/ZnSe quantum dots fabricated by using an alternate molecular beam supplying method](/preview/png/5360800.png)
چکیده انگلیسی
ZnSe/CdSe/ZnSe structures inserted CdSe thin layer are fabricated using an alternate molecular beam supply (ALS). Examining the PL peak energy dependence on beam irradiation time in ALS cycle, we studied the initial stage of CdSe growth. When CdSe below the critical thickness is supplied on ZnSe grown on GaAs (1Â 0Â 0), two kinds of 2D islands (platelets) appear. We confirmed the alloying of 2D-CdSe islands and 3D-CdSe islands (dots) is prominent under Cd beam irradiation in ALS growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 23, 30 September 2008, Pages 7913-7917
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 23, 30 September 2008, Pages 7913-7917
نویسندگان
M. Ii, M. Ohishi, M. Yoneta, Y. Sato, M. Shintani, K. Yoshino, H. Saito,