کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5361045 | 1503647 | 2014 | 33 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation, and characterizations of a novel luminescence Lu2WO6:Eu3+ film as potential scintillator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- Novel Lu2WO6:Eu3+ luminescence films with micron-thickness were first fabricated on Si (1Â 0Â 0) wafer by a chemical route.
- Lu2WO6:Eu3+ films with dense and homogeneous morphology exhibit good scintillation properties.
- Luminescence mechanism associated with Eu3+ site occupation and possible energy transfer of Lu2WO6:Eu3+ films have also been proposed.
- A new method of hydrophilizing Si (1Â 0Â 0) wafers without HF is proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 317, 30 October 2014, Pages 730-736
Journal: Applied Surface Science - Volume 317, 30 October 2014, Pages 730-736
نویسندگان
Xiang-Yang Chen, Zhi-Jun Zhang, Lin-Lin Zhu, Meng Xu, Hong Wang, Ai-Guo Li, Jing-Tai Zhao,