کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5361274 | 1388271 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-ray photoelectron spectroscopy study of cubic boron nitride single crystals grown under high pressure and high temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Unintentionally doped cubic boron nitride single crystals are investigated by XPS. ⺠Nitrogen vacancy (VN) is the main native defect. ⺠The chemical state of carbon as the main impurity in the cBN samples is analyzed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3800-3804
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3800-3804
نویسندگان
Lixin Hou, Zhanguo Chen, Xiuhuan Liu, Yanjun Gao, Gang Jia,