کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5361562 | 1388274 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characteristics improvement of HfO2/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characteristics improvement of HfO2/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface Characteristics improvement of HfO2/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface](/preview/png/5361562.png)
چکیده انگلیسی
F was incorporated into interfacial layer easily by using F2-treated Ge substrate. These results suggest that interface defect of HfO2/Ge gate stack structure could be passivated by F effectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 21, 30 August 2008, Pages 6932-6936
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 21, 30 August 2008, Pages 6932-6936
نویسندگان
Hyun Lee, Dong Hun Lee, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama,