کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5362147 | 1388281 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Infrared ellipsometry as an investigation tool of thin layers grown into plasma immersion N+ implanted silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠SiOxNy layers were synthesized by high-temperature (1050 °C) annealing in oxidizing ambient of plasma immersion N+ ion implanted Si substrates. ⺠The IRSE spectra analysis of the dielectric functions showed that, depending on N+ fluence (1016-1018 N+/cm2) and annealing duration (10 and 20 min) the grown layers were either as silicon oxynitride with considerably low N content or silicon dioxide enriched with nitrogen. ⺠SiN, SiNO and SiSi chemical bonds in the silicon oxide network were identified by Infrared ellipsometry and confirmed by X-ray Photoelectron Spectroscopy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 18, 1 July 2012, Pages 7195-7201
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 18, 1 July 2012, Pages 7195-7201
نویسندگان
M. Gartner, A. Szekeres, S. Alexandrova, P. Osiceanu, M. Anastasescu, M. Stoica, A. Marin, E. Vlaikova, E. Halova,