کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5362220 | 1388282 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mathematical characterization of oxidized crystalline silicon nanowires grown by electroless process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Silicon nanowires (SiNWs) created via the electroless etching technique & oxidized. ⺠SEM of original and oxidized SiNWs. ⺠SiNWs cause “surface area amplification,” a formula for which is provided. ⺠Formula for polar plot provided illustrating shape of SiNWs after oxidation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 10, 1 March 2012, Pages 4607-4613
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 10, 1 March 2012, Pages 4607-4613
نویسندگان
Robert G. Mertens, Kalpathy B. Sundaram,