کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5362475 | 1388287 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanostructures on GaAs surfaces due to 60Â keV Ar+-ion beam sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Effect of angle of ion incidence and ion fluence on the surface nanostructures formed due to 60 keV Ar+-ion beam sputtering of p-type GaAs(1 0 0) is examined using an ion current density of 10-12 μA/cm2. ⺠As a function of angle of incidence the surface topography changes from 'dots + holes' (0°) â 'smooth' (30°) â 'dots' (60°). For 60° off-normal ion incidences ripple formation is suppressed. ⺠Effectiveness and limitations of existing theories of ion induced pattern formation to explain the observed nanostructures are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 9, 15 February 2012, Pages 4144-4147
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 9, 15 February 2012, Pages 4144-4147
نویسندگان
V. Venugopal, Sandeep Kumar Garg, Tanmoy Basu, Om Prakash Sinha, D. Kanjilal, S.R. Bhattacharyya, T. Som,