کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5362716 | 1388292 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Morphology and photoluminescence of ultrasmall size of Ge quantum dots directly grown on Si(0Â 0Â 1) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Sub-10-nm domelike Ge QDs with uniform size were obtained directly on the Si(0 0 1) surface. ⺠Their density is the highest one among the Ge QDs grown directly on Si surface. ⺠Two metastate QDs, pyramid-to-dome and multiheaded dome, were observed due to no post-annealing. ⺠The QDs own a very strong non-phonon peak with a large blue shift of 0.19 eV at 14 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 6, 1 January 2012, Pages 1935-1939
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 6, 1 January 2012, Pages 1935-1939
نویسندگان
Wang Ke-Fan, Zhang Yang, Zhang Weifeng,