کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5362765 | 1388292 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The electrical, optical and magnetic properties of Si-doped ZnO films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The resistivity of the ZnO films can significantly decrease by Si-doped. ⺠The bandgap of the film increases to 3.52 eV when Si concentration is of 6%. ⺠Yellow emission enhances due to the increase of extrinsic impurity or defects. ⺠The maximum magnetic moment of 2.6 μB/Si is obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 6, 1 January 2012, Pages 2177-2181
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 6, 1 January 2012, Pages 2177-2181
نویسندگان
J.T. Luo, X.Y. Zhu, G. Chen, F. Zeng, F. Pan,