کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5362941 | 1388294 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis and field emission properties of GaN nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Ni as catalyst, high-quality GaN nanowires films were synthesized by chemical vapor deposition (CVD). ⺠The open electric field of the sample1 was 9.1 V/μm. ⺠The field emission properties of GaN nanowires films are related to the roughness and density of the nanowires in the film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 24, 1 October 2011, Pages 10850-10854
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 24, 1 October 2011, Pages 10850-10854
نویسندگان
Enling Li, Zhen Cui, Yuanbin Dai, Danna Zhao, Tao Zhao,