کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5363644 | 1388304 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancement of saturation magnetization in Cr-ion implanted silicon by high temperature annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We observed a significant enhancement of saturation magnetization of Cr ion implanted silicon after annealing at 900 °C. ⺠We proposed a mechanism to explain the enhancement of magnetism. ⺠Cr implantation dosage can affect the magnetic properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 20, 1 August 2011, Pages 8465-8468
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 20, 1 August 2011, Pages 8465-8468
نویسندگان
Shuang Yang, Wenyong Zhang, Jihong Chen, Zhongpo Zhou, Zhiwei Ai, Liping Guo, Congxiao Liu, Honglin Du,