کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364181 | 1503700 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular dynamics simulation of hydrogenated carbon film growth from CH radicals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We simulated the hydrogenated carbon film growth from CH radicals using classical molecular dynamics method. ⺠Effects of incident energy on the film structure were investigated. ⺠The contribution of adsorption, reactions, implantation and sputtering to film growth were analyzed. ⺠The optimized incident energy of CH is suggested in the range from 10 to 70 eV for gaining smooth film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 263, 15 December 2012, Pages 339-344
Journal: Applied Surface Science - Volume 263, 15 December 2012, Pages 339-344
نویسندگان
W.L. Quan, X.W. Sun, Q. Song, Z.J. Fu, P. Guo, J.H. Tian, J.M. Chen,