کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364186 | 1503700 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of amorphous SiC film on Si by means of ion beam induced mixing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth of amorphous SiC film on Si by means of ion beam induced mixing Growth of amorphous SiC film on Si by means of ion beam induced mixing](/preview/png/5364186.png)
چکیده انگلیسی
⺠SiC rich layer has been produced by irradiating the C/Si interface by Ga+ ions. ⺠The amount of SiC produced depends on the square root of fluence of the projectile. ⺠TRIDYN code can describe the ion mixing process. ⺠The formation of SiC is explained by defect-mediated reaction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 263, 15 December 2012, Pages 367-372
Journal: Applied Surface Science - Volume 263, 15 December 2012, Pages 367-372
نویسندگان
Árpád Barna, Sandor Gurban, László Kotis, János Lábár, Attila Sulyok, Attila L. Tóth, Miklós Menyhárd, Janez Kovac, Peter Panjan,