کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364247 | 1388313 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gd-doping of HfO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Gd-doping of HfO2 Gd-doping of HfO2](/preview/png/5364247.png)
چکیده انگلیسی
An increase in the density of states between the oxygen 2p bands and the Fermi level is seen with increasing Gd concentrations. In addition, for the Gd-doped HfO2 films, the Gd 4f photoexcitation peak at 5.5Â eV below the valence band maximum was identified using resonant photoemission. Electrical measurements show pronounced rectification properties for lightly-doped Gd:HfO2 films on p-Si and for heavily-doped Gd:HfO2 films on n-Si, suggesting a crossover from n-type to p-type behavior with increasing doping level. In addition, there is an increase in the reverse bias current with neutron irradiation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 14, 15 May 2008, Pages 4308-4312
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 14, 15 May 2008, Pages 4308-4312
نویسندگان
Ihor Ketsman, Ya.B. Losovyj, A. Sokolov, Jinke Tang, Zhenjun Wang, M.L. Natta, J.I. Brand, P.A. Dowben,