کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364248 | 1388313 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoelectron diffraction effect in the highly ordered Si(5 5 7)/Pb surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The electronic structure of vicinal Si(5Â 5Â 7) surface covered with 2Â ML Pb, ordered after annealing at 640Â K as found previously [C. Tegenkamp, Z. Kallassy, H.-L. Gunter, V. Zielasek, H. Pfnür, Eur. Phys. J. B 43 (2005) 557; C. Tegenkamp, Z. Kallassy, H. Pfnür, H.-L. Gunter, V. Zielasek, M. Henzler, Phys. Rev. Lett. 95 (2005) 176804], is studied with angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) at a temperature of 130Â K. The spectra show a superposition of Pb-induced electronic surface states and the Si(1Â 1Â 1) bulk band states. The observed splitting of a Si bulk band suggests photoelectron diffraction on the one-dimensional grid of the vicinal surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 14, 15 May 2008, Pages 4313-4317
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 14, 15 May 2008, Pages 4313-4317
نویسندگان
M. Kisiel, K. Skrobas, M. JaÅochowski,